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参数资料
| 型号： | 1PS76SB62 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | Schottky barrier diode |
| 中文描述： | 0.02 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SC-76, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 1PS76SB62 |
2001 Feb 16
2
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diode
1PS76SB62
FEATURES
Ultra high switching speed
Very low capacitance
High breakdown voltage
Guard ring protected
Two pin very small plastic SMD package.
APPLICATIONS
Ultra high-speed switching
High frequency applications.
DESCRIPTION
Epitaxial Schottky barrier diode encapsulated in a
SOD323 (SC-76) very small plastic SMD package.
ESD sensitive device, observe handling precautions.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
cathode
2
anode
olumns
12
MGU328
Fig.1
Simplified outline (SOD323; SC-76) and
symbol.
Marking code: S6.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Note
1. Pulse test: pulse width = 300
s; δ = 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOD323 (SC-76) standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
VR
continuous reverse voltage
40
V
IF
continuous forward current
20
mA
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
125
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+125
°C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
IF = 2 mA; see Fig.2; note 1
800
mV
IR
reverse current
VR = 40 V; see Fig.3; note 1
1
A
Cd
diode capacitance
VR = 0 V; f = 1 MHz; see Fig.4
0.6
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
450
K/W
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PDF描述 |
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参数描述 |
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