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参数资料
| 型号： | 1PS76SB62 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | Schottky barrier diode |
| 中文描述： | 0.02 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SC-76, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 1PS76SB62 |
2001 Feb 16
3
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diode
1PS76SB62
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpage
2
0
(1)
(2)
VF (V)
IF
(mA)
0.4
0.8
1.2
1.6
10
1
101
102
MLD553
(3)
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb =85 °C.
(3) Tamb =25 °C.
handbook, halfpage
40
20
10
0
(1)
(2)
(3)
VR (V)
IR
(nA)
30
MLD554
104
103
102
10
1
102
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb =85 °C.
(3) Tamb =25 °C.
handbook, halfpage
0
VR (V)
Cd
(pF)
10
20
40
0.40
0.20
0.36
30
0.32
0.28
0.24
MLD555
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tamb =25 °C.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1PS76SB70 T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1PS76SB70,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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