参数资料
| 型号： | 1SMB7.0AT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 600W 7.0V UNIDIRECT SMB |
| 产品目录绘图： | SMB 600 Watt Top SMB 600 Watt Side 1 SMB 600 Watt Side 2 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 7V |
| 电压 - 击穿： | 7.78V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2386 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1SMB7.0AT3GOSDKR |
1SMB5.0AT3G Series, SZ1SMB5.0AT3G Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation (Note 1) @ T L = 25 ? C, Pulse Width = 1 ms
DC Power Dissipation @ T L = 75 ? C Measured Zero Lead Length (Note 2)
Derate Above 75 ? C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Lead
DC Power Dissipation (Note 3) @ T A = 25 ? C
Derate Above 25 ? C
Thermal Resistance from Junction ? to ? Ambient
Forward Surge Current (Note 4) @ T A = 25 ? C
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P PK
P D
R q JL
P D
R q JA
I FSM
T J , T stg
Value
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
100
? 65 to +150
Unit
W
W
mW/ ? C
? C/W
W
mW/ ? C
? C/W
A
? C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. 10 X 1000 m s, non ? repetitive.
2. 1 in square copper pad, FR ? 4 board.
3. FR ? 4 board, using ON Semiconductor minimum recommended footprint, as shown in 403A case outline dimensions spec.
4. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ? C unless
otherwise noted, V F = 3.5 V Max. @ I F (Note 5) = 30 A)
Symbol Parameter
I PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V C
Clamping Voltage @ I PP
I F
I
I R V F
V RWM
I R
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V C V BR V RWM
I T
V
V BR
I T
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
I F
V F
Forward Current
Forward Voltage @ I F
I PP
5. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms,
non ? repetitive duty cycle.
http://onsemi.com
2
Uni ? Directional TVS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 68685-335LF | CONN RCPT 35POS .100" SNG ROW |
| 0071.2761.A2 | VARISTOR 270V 14MM RADIAL |
| AD8655ARMZ-REEL | IC OPAMP GP R-R CMOS 28MHZ 8MSOP |
| 0071.2561.A2 | VARISTOR 250V 14MM RADIAL |
| 0071.2361.A2 | VARISTOR 230V 14MM RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SMB75AT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB75AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB75CA TR13 | 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.9A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 |
| 1SMB75CAT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB75CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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