参数资料
| 型号： | 1SMB7.0AT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 600W 7.0V UNIDIRECT SMB |
| 产品目录绘图： | SMB 600 Watt Top SMB 600 Watt Side 1 SMB 600 Watt Side 2 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 7V |
| 电压 - 击穿： | 7.78V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2386 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1SMB7.0AT3GOSDKR |
1SMB5.0AT3G Series, SZ1SMB5.0AT3G Series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Device*
Device
Marking
V RWM
(Note 6)
V
I R @ V RWM
m A
Breakdown Voltage
V BR (Note 7) Volts
Min Nom Max
@ I T
mA
V C @ I PP (Note 8)
V C I PP
V A
C typ
(Note 9)
pF
1SMB5.0AT3G
1SMB6.0AT3G
1SMB6.5AT3G
1SMB7.0AT3G
1SMB7.5AT3G
1SMB8.0AT3G
1SMB8.5AT3G
1SMB9.0AT3G
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1SMB11AT3G
1SMB12AT3G
1SMB13AT3G
1SMB14AT3G
1SMB15AT3G
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1SMB17AT3G
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1SMB28AT3G
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1SMB33AT3G
1SMB36AT3G
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1SMB43AT3G
1SMB45AT3G
1SMB48AT3G
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1SMB64AT3G
1SMB70AT3G
1SMB75AT3G
1SMB85AT3G
1SMB90AT3G
1SMB100AT3G
1SMB110AT3G
1SMB120AT3G
1SMB130AT3G
1SMB150AT3G
1SMB160AT3G
1SMB170AT3G
KE
KG
KK
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LE
LG
LK
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LR
LT
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LZ
ME
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MM
MP
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NE
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NM
NP
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5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
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800
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500
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5.0
5.0
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5.0
5.0
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5.0
5.0
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5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
55.0
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5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.40
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10.0
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15.15
16.4
17.6
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19.9
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199
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9.21
9.83
10.4
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17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
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26.9
29.5
31.9
34.4
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86
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159
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197
209
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
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1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
9.2
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275
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50.0
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24.0
23.1
21.7
20.5
18.5
16.9
15.4
14.2
13.2
12.4
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10.3
9.3
8.6
8.3
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7.3
6.9
6.4
6.2
5.8
5.3
4.9
4.4
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.2
2700
2300
2140
2005
1890
1780
1690
1605
1460
1345
1245
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1020
965
915
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790
730
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400
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365
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310
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260
245
220
210
190
175
160
150
135
125
120
6. A transient suppressor is normally selected according to the working peak reverse voltage (V RWM ), which should be equal to or greater than
the DC or continuous peak operating voltage level.
7. V BR measured at pulse test current I T at an ambient temperature of 25 ? C.
8. Surge current waveform per Figure 2 and derate per Figure 4 of the General Data ? 600 W at the beginning of this group.
9. Bias Voltage = 0 V, F = 1 MHz, T J = 25 ? C
?Please see 1SMB10CAT3 to 1SMB78CAT3 for Bidirectional devices.
* Include SZ-prefix devices where applicable.
http://onsemi.com
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PDF描述 |
|---|---|
| 68685-335LF | CONN RCPT 35POS .100" SNG ROW |
| 0071.2761.A2 | VARISTOR 270V 14MM RADIAL |
| AD8655ARMZ-REEL | IC OPAMP GP R-R CMOS 28MHZ 8MSOP |
| 0071.2561.A2 | VARISTOR 250V 14MM RADIAL |
| 0071.2361.A2 | VARISTOR 230V 14MM RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SMB75AT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB75AT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB75CA TR13 | 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.9A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 标准包装:1 |
| 1SMB75CAT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1SMB75CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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