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参数资料
型号： 1SMB70CAT3G
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 403A-03, SMB, 2 PIN
文件页数： 4/7页
文件大小： 133K
代理商： 1SMB70CAT3G
1SMB5.0AT3 Series
http://onsemi.com
4
1SMB5.0AT3G
1SMB10AT3G
1SMB48AT3G
1SMB170AT3G
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 2
tP, PULSE WIDTH
1
10
100
0.1
ms1 ms10 ms
100
ms
1 ms
10 ms
0.1
Figure 1. Pulse Rating Curve
01
2
3
4
0
50
100
t, TIME (ms)
V
ALUE
(%)
HALF VALUE -
IPP
2
PEAK VALUE - IPP
tr ≤ 10 ms
Figure 2. Pulse Waveform
Figure 3. Pulse Derating Curve
Vin
VL
Zin
LOAD
Figure 4. Typical Junction Capacitance vs.
Bias Voltage
PEAK
PULSE
DERA
T
IN
G
IN
%
O
F
PEAK
POWER
OR
CURRENT
@
T A
=
25
C°
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
120
140
160
tP
PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED AS
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF
IPP.
BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Typical Protection Circuit
1
10
100
1000
10
100
1000
10,000
C,
C
A
PACIT
ANCE
(pF)
P
PK
,PEAK
POWER
(kW)
1
TJ = 25°C
f = 1 MHz
5
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