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参数资料
| 型号： | 1SS400CST2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 486K |
| 描述： | DIODE SW 100MA EMD2 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 100mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 3pF @ 0.5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | EMD2 |
| 供应商设备封装： | EMD2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
          Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Switching Diode 1SS400CS ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) High speed switching ?Features 1)Ultra small mold type.(VMN2) 2)High reliability. ?Construction Silicon epitaxial planer ?Structure ?Absolute maximum ratings (Ta=25 ?C) Symbol Unit VRM V VR V IFM mA Io mA100 Isurge mA Tj ?C Tstg ?C ?Electrical characteristics (Ta=25 ?C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions Forward voltage VF - - 1.2 V IF=100mA IR - - 100 nA VR=80V Ct - - 3.0 pF VR=0.5V f=1.0MHz trr - - 4.0 ns VR=6V IF=10mA RL＝100? Reverse voltage (DC) Forward current (repetitive peak) Average rectified forward current Surge current (1S) ?Taping dimensions (Unit : mm) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Junction temperature Storage temperature Limits 90 80 225 500 150 ?55 to ?150 Parameter Reverse current Capacitance between terminal Reverse recovery time VMN2 0.55 0.5 0.45 0.45 ROHM : VMN2 dot (year week factory) 0.16±0.05 0.37±0.03 0.6±0.05 0.35±0.1 0.9±0.05 1.0±0.05 0.156 0.7±0.05 4.0±0.1 2±0.05 φ0.5 4±0.1 2±0.05 φ1.55 1.75±0.1 8.0±0.2 3.5±0.05 1.1±0.05 0.2±0.05 0.52 1/4 2011.12 - Rev.A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS400GT2R | DIODE 80V 100MA VMD2 |
| 1SS400T1 | DIODE SWITCH 200MA 100V SOD523 |
| 200HFR80PV | DIODE STD REC 800V 200A DO-30 |
| 2A05G-T | RECTIFIER GPP 600V 2.0A DO-15 |
| 2A07-T | DIODE STD REC 2A 1000V DO-15 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1SS400CST2RA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SWITCHING 90V 0.1A 2PIN VMN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1SS400CST5G | 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:SWITCHING Diodes |
| 1SS400G | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:High Speed Switching Diodes |
| 1SS400-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=90V, IF=100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1SS400G _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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