参数资料
型号: 1SS400CST2R
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 486K
描述: DIODE SW 100MA EMD2
标准包装: 8,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 80V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 80V
电容@ Vr, F: 3pF @ 0.5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: EMD2
供应商设备封装: EMD2
包装: 带卷 (TR)
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
1SS400CS
 
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:1.60kV
AVE:6.48kV
C=100pF
R=1.5kΩ
C=200pF
R=0Ω
0
5
10
1
10
100
0
5
10
1
10
100
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
5
10
15
20
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
AVE:3.90A
8.3ms
IFSM
1cyc
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
AVE:1.489ns
Ta=25°C
VR=6V
IF=10mA
RL=100Ω
n=10pcs
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
8.3ms
8.3ms1cyc
IFSM
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
TRANSIENT
THERMAL
IMPEDANCE:Rth(
°
C/W
)
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
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2011.12
- Rev.A
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PDF描述
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1SS400T1 DIODE SWITCH 200MA 100V SOD523
200HFR80PV DIODE STD REC 800V 200A DO-30
2A05G-T RECTIFIER GPP 600V 2.0A DO-15
2A07-T DIODE STD REC 2A 1000V DO-15
相关代理商/技术参数
参数描述
1SS400CST2RA 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SWITCHING 90V 0.1A 2PIN VMN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1SS400CST5G 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:SWITCHING Diodes
1SS400G 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:High Speed Switching Diodes
1SS400-G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 VR=90V, IF=100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1SS400G _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: