参数资料
型号: 1SS400GT2R
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 499K
描述: DIODE 80V 100MA VMD2
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: Diode VMD2
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 80V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 80V
电容@ Vr, F: 3pF @ 0.5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商设备封装: VMD2
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 1SS400GT2RDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
1SS400G
 
0.1
1
10
100
1000
0
500
1000
1500
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(mA)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=75°C
1
10
100
1000
10000
100000
0
20
40
60
80
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=75°C
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
30
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
f=1MHz
Tj=25°C
850
860
870
880
890
900
910
920
930
940
950
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
AVE:891.2mV
Tj=25°C
IF=0.1A
n=30pcs
1
10
100
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
Tj=25°C
VR=80V
n=30pcs
AVE:22.17nA
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
AVE:0.595pF
Ta=25°C
f=1MHz
VR=0.5V
n=10pcs
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
2/4
2011.10
- Rev.A
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