参数资料
型号: 1SS400GT2R
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 499K
描述: DIODE 80V 100MA VMD2
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: Diode VMD2
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 80V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 80V
电容@ Vr, F: 3pF @ 0.5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商设备封装: VMD2
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 1SS400GT2RDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
1SS400G
 
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
AVE:3.9A
8.3ms
IFSM
1cyc
IFSM
DISPERSION MAP
ITS ABILITY OF PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
0
0.5
1
1.5
2
AVE:1.49ns
Ta=25°C
VR=6V
IF=10mA
RL=100Ω
n=10pcs
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
1
10
100
1
10
100
8.3ms
IFSM
1cyc.
8.3ms
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
1
10
100
1
10
100
time
IFSM
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE:1.60kV
AVE:6.48kV
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (
°
C
/W)
3/4
2011.10
- Rev.A
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