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参数资料
| 型号： | 1T2G |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | GREEN, MINIATURE, PLASTIC, TS-1, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 444K |
| 代理商： | 1T2G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1T3G | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1T5G | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1T7G | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1T33A | SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T33C-T7 | 38 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1T2G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1T2G A1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1T2G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 100V 1A 2-Pin TS-1 T/R |
| 1T2G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1T3 | 功能描述:整流器 1A,200V,Std SILASTIC Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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