2N5401/2N5552..

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2N5401/2N5552.. 技术参数

2N5401,412 功能描述:TRANS PNP 150V 0.3A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:630mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 2N5401,116 功能描述:TRANS PNP 150V 0.3A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:630mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5401 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N5400RLRPG 功能描述:TRANS PNP 120V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5400RLRP 功能描述:TRANS PNP 120V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5401CYTA 2N5401G 2N5401NLBU 2N5401RL1 2N5401RL1G 2N5401RLRA 2N5401RLRAG 2N5401RLRM 2N5401RLRMG 2N5401TA 2N5401TAR 2N5401TF 2N5401TFR 2N5401ZL1 2N5401ZL1G 2N5415 2N5415S 2N5415UA