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2N5429

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 50008

  • YXYBDT台湾

  • TO-66

  • 2024+

  • -
  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS GP BJT NPN 100V 7A 2PIN TO-66 - Bulk
2N5429 技术参数
  • 2N5428 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5427 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5416UA/TR 功能描述:POWER BJT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,无引线 供应商器件封装:UA 标准包装:100 2N5416UA 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5416 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:15MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N5457_D74Z 2N5457_D75Z 2N5457_L99Z 2N5457G 2N5458 2N5458_D26Z 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G
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