2N5460_L99Z

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA 2N5461RLRAG 2N5462

2N5460_L99Z PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N5460_L99Z PDF下载

功能描述
JFET P-Channel Transistor General Purpose
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

2N5460_L99Z 技术参数

2N5460_D75Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:750mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5460_D74Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:750mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5460_D27Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:750mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5460 功能描述:JFET P-CH 40V 0.31W TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:750mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 功率 - 最大值:310mW 标准包装:2,500 2N5459_D75Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:4mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 2N5462_D27Z 2N5462G 2N5484 2N5484_D26Z 2N5484_D27Z 2N5484_D74Z 2N5485 2N5485_D26Z 2N5485_D27Z 2N5485_D74Z 2N5485_D75Z 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z 2N5486_D74Z 2N5486G 2N5486RLRP 2N5486RLRPG