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2N5461_D26Z

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  • 型号
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  • 2N5461_D26Z
    2N5461_D26Z

    2N5461_D26Z

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Fairchild Semiconductor

  • TO-92-3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
2N5461_D26Z PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • JFET P-Channel Transistor General Purpose
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss)
  • 50 mA
  • 漏源电压 VDS
  • 15 V
  • 闸/源击穿电压
  • 漏极连续电流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安装风格
  • 封装 / 箱体
  • SC-59
  • 封装
  • Reel
2N5461_D26Z 技术参数
  • 2N5461 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5460G 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):750mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1,000 2N5460_L99Z 功能描述:IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):750mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 135°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92(TO-226) 标准包装:2,000 2N5460_D75Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):750mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5460_D74Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):750mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5484_D26Z 2N5484_D27Z 2N5484_D74Z 2N5485 2N5485_D26Z 2N5485_D27Z 2N5485_D74Z 2N5485_D75Z 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z 2N5486_D74Z 2N5486G 2N5486RLRP 2N5486RLRPG 2N5545JTX01 2N5545JTXL01 2N5545JTXV01
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