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2N5433

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人：彭先生

    电话：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 8566

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -

  • 绝对公司原装现货

  • 2N5433
    2N5433

    2N5433

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 5000

  • VISHAY

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • 2N5433
    2N5433

    2N5433

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6256544762566447

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质：营业执照

  • 10000

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • 2N5433
    2N5433

    2N5433

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Vishay Siliconix

  • TO-206AC

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共25条 
  • 1
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  • 功能描述
  • JFET 25V 10pA
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
  • 50 mA
  • 漏源电压 VDS
  • 15 V
  • 闸/源击穿电压
  • 漏极连续电流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安装风格
  • 封装 / 箱体
  • SC-59
  • 封装
  • Reel
2N5433 技术参数
  • 2N5432-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:150mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N5430 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5429 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5428 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5427 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5457G 2N5458 2N5458_D26Z 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z
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