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2SA1179-5-TB-E
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
SANYO
SOT-23
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

2SA1179-5-TB-E
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
90000
SANYO/三洋
SOT-23
21+
-
原厂原装现货

2SA1179-5-TB-E
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
SANYO
SOT-23
22+
-
全新原装现货供应

2SA1179-5-TB-E
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512微信同号
地址：上步工业区501栋410室
20000
SANYO/三洋
SOT-23
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SA1179-5-TB-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SANYO
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SA1179-5-TB-E
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
SANYO
SOT-23
18+
-
全新原装，优势库存

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2SA1179-5-TB-E 技术参数

2SA1163-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1163-BL,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1162YT1 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:3,000 2SA1162-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1162S-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1216 2SA1225-Y(Q) 2SA1242-Y(Q) 2SA1244-Y(Q) 2SA1294 2SA1295 2SA1298-Y,LF 2SA1303 2SA1309A0A 2SA1309AQA 2SA1309ARA 2SA1309ASA 2SA1312-BL(TE85L,F 2SA1312GRTE85LF 2SA1313-O(TE85L,F) 2SA1313-Y,LF 2SA1315-Y,HOF(M 2SA1315-Y,T6ASNF(J

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