2SAR502UBTL全国供应商【买卖IC网】2SAR502UBTL资料|PDF Datasheet|价格 Rohm Semiconductor

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封装
批号
价格
说明
操作

2SAR502UBTL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

2SAR502UBTL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14625
ROHM SEMI
1521+
-
全新原装现货

2SAR502UBTL
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
100
ROHM
-
公司现货！只做原装！

2SAR502UBTL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
3904
ROHM
con
24+
-
晶体管

2SAR502UBTL
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
3904
ROHM
con
24+
-
晶体管

2SAR502UBTL
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
6000
ROHM
UMT3F (SOT-323FL) (S
21+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

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1

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功能描述
TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F
制造商
rohm semiconductor
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
30V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
400mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）
200nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 100mA，2V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
520MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-85
供应商器件封装
UMT3F
标准包装
1

2SAR502UBTL 技术参数

2SAR502EBTL 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 2SAR340PT100Q 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR340PT100P 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR293PT100 功能描述:TRANS PNP 30V 1A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SAR293PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR514PFRAT100 2SAR514PT100 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100 2SAR533PT100 2SAR542F3TR 2SAR542PFRAT100 2SAR542PT100 2SAR543DTL 2SAR543RTL 2SAR544P5T100

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