2SC5230F-AB

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2SC5230F-AB 技术参数

2SC5227A-5-TB-E 功能描述:TRANS NPN BIPO VHF-UHF CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:135 @ 20mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SC5227A-4-TB-E 功能描述:TRANS NPN BIPO VHF-UHF CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SC5226A-5-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:135 @ 20mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:1 2SC5226A-4-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:1 2SC5201,T6MURAF(J 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SC5277A-2-TL-E 2SC5287 2SC5291S-AY 2SC5336-AZ 2SC5336-T1-AZ 2SC5337-AZ 2SC5338-AZ 2SC5338-T1-AZ 2SC5347AE-TD-E 2SC5347AF-TD-E 2SC536300L 2SC536NF-NPA-AT 2SC536NG-NPA-AT 2SC5374A-TL-E 2SC5414AE 2SC5414AE-AA 2SC5414AF 2SC5414AF-AA