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2SK4096LS_12

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  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • S

  • TO-220F

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
2SK4096LS_12 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全称
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • General-Purpose Switching Device Applications
2SK4096LS_12 技术参数
  • 2SK4096LS 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4094-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SK4094 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:100 2SK4093TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 250V 1A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 欧姆 @ 500mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 25V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:2,500 2SK4089LS 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E 2SK4181-TL-E 2SK4196LS 2SK4196LS-1E 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222
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