2SK4147-T1B-AT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK4147-T1B-AT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
NEC
SOT-23
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK4147-T1B-AT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
30000
NEC
SOT23
11+rohs
-
全新原装现货

2SK4147-T1B-AT
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
6000
NEC
SOT23
2012+
-
只做原装正品

1/1页 40条/页共15条
1

您是不是要找： 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E 2SK4181-TL-E 2SK4196LS 2SK4196LS-1E

2SK4147-T1B-AT PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK4147-T1B-AT PDF下载

制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
Trans MOSFET N-CH 250V 0.5A 3-Pin Mini-Mold T/R Cut Tape
制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
SWITCHING N-CHANNEL MOSFET

2SK4147-T1B-AT 技术参数

2SK4126 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:720 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4125-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:610 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SK4125 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:610 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4124-1E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SK4124 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V