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2SJ648-T1

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2SJ648-T1 技术参数
  • 2SJ610(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.55 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):381pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:2,000 2SJ438,Q(M 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装 零件状态:停產 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220NIS 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1 2SJ438,Q(J 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装 零件状态:停產 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220NIS 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1 2SJ438,MDKQ(M 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装 零件状态:停產 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220NIS 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1 2SJ438,MDKQ(J 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装 零件状态:停產 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220NIS 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L
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