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参数资料
| 型号： | 20MT120UFP |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MTP, 16 PIN |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | 20MT120UFP |
Document Number: 94505
For technical questions, contact: indmodules@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 01-Mar-10
7
20MT120UFP
"Full Bridge" IGBT MTP
(Ultrafast NPT IGBT), 40 A
Vishay High Power Products
Fig. 19 - Typical Diode Irr vs. dIF/dt
VCC = 400 V; VGE = 15 V; ICE = 5.0 A; TJ = 150 °C
Fig. 20 - Typical Diode Qrr vs. dIF/dt
VCC = 400 V; VGE = 15 V; TJ = 150 °C
Fig. 21 - Typical Capacitance vs. VCE
VGE = 0 V; f = 1 MHz
Fig. 22 - Typical Gate Charge vs. VGE
ICE = 5.0 A; L = 600 μH
Fig. 23 - Maximum Transient Thermal Impedance, Junction to Case (IGBT)
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
10
15
20
25
30
35
40
I
R
)
A(
0
200
400
600
800
1000
1200
diF /dt (A/μs)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Q
R
)
C
μ(
5.0
Ω
30
Ω
10
Ω
50
Ω
30A
20A
10A
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
)
F
p(
e
c
n
ati
c
a
p
a
C
Cies
Coes
Cres
0
40
80
120
160
200
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
E
G
)
V(
600V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
(
e
s
n
o
p
s
e
R
l
a
mr
e
h
T
C
J
ht
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τi (sec)
0.161
0.000759
0.210
0.017991
0.147
0.06094
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
C
Ci= i/Ri
Ci=
τi/Ri
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PDF描述 |
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