参数资料
| 型号： | 23K256-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | 23x640 and 23x256 SRAM Overview |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
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23A256/23K256
TABLE 2-1:
INSTRUCTION SET
Instruction Name
READ
WRITE
RDSR
WRSR
Instruction Format
0000 0011
0000 0010
0000 0101
0000 0001
Description
Read data from memory array beginning at selected address
Write data to memory array beginning at selected address
Read STATUS register
Write STATUS register
FIGURE 2-1:
CS
BYTE READ SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 1 1
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
SI
0
0
0
0
0
0
1
1 15 14 13 12
2
1
0
High-Impedance
Data Out
SO
7
6
5
4
3
2
1
0
FIGURE 2-2:
CS
BYTE WRITE SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 1 1
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
Data Byte
SI
0
0
0
0
0
0
1
0 15 14 13 12
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
DS22100F-page 7
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| 23K256-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND |
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