参数资料
| 型号： | 23K256-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | 23x640 and 23x256 SRAM Overview |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
23A256/23K256
FIGURE 2-3:
CS
PAGE READ SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 1 1
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
SI
0
0
0
0
0
0 1
1 15 14 13 12
2
1
0
Page X, Word Y
SO
High Impedance
7
6
Page X, Word Y
5 4 3 2
1
0
CS
3 2 33 3 4 35 36 37 38 39
SCK
SI
Page X, Word Y+1
Page X, Word 31
Page X, Word 0
SO
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
FIGURE 2-4:
CS
PAGE WRITE SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 1 1
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
Page X, Word Y
SI
0
0
0
0
0
0 1
0 15 14 13 12
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
Page X, Word Y
CS
3 2 33 3 4 35 36 37 38 39
SCK
Page X, Word Y+1
Page X, Word 31
Page X, Word 0
SI
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
DS22100F-page 8
? 2008-2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XCV200E-6FG456I | IC FPGA 1.8V I-TEMP 456-FBGA |
| XC4VLX15-11SF363I | IC FPGA VIRTEX-4LX 363FCBGA |
| SST39VF010-70-4C-B3KE-T | IC MEM MPF 1MBIT FLASH 48TFBGA |
| XC4VLX15-11SFG363I | IC FPGA VIRTEX-4 LX 15K 363FCBGA |
| XCV200E-8CS144C | IC FPGA 1.8V C-TEMP 144-CSBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 23K256-I/P | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 23K256-I/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND |
| 23K256-I/SN | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 23K256-I/SN | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND |
| 23K256-I/ST | 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。