参数资料
| 型号： | 24LC21T/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | I2C Serial EEPROM |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1K (128 x 8) |
| 速度： | 100kHz，400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
24LC21
It is required that V CLK be held at a logic high level in
order to program the device. This applies to byte write
and page write operation. Note that V CLK can go low
while the device is in its self-timed program operation
and not affect programming.
Note:
Page write operations are limited to writing
bytes within a single physical page,
regardless of the number of bytes
actually being written. Physical page
boundaries start at addresses that are
integer multiples of the page buffer size (or
‘page size’) and end at addresses that are
integer multiples of [page size - 1]. If a
page Write command attempts to write
across a physical page boundary, the
result is that the data wraps around to the
beginning of the current page (overwriting
data previously stored there), instead of
being written to the next page as might be
expected. It is therefore necessary for the
application software to prevent page write
operations that would attempt to cross a
page boundary.
FIGURE 4-1:
BYTE WRITE
BUS ACTIVITY
MASTER
S
T
A
R
T
Control
Byte
Word
Address
Data
S
T
O
P
SDA LINE
S
P
A
A
A
BUS ACTIVITY
C
K
C
K
C
K
V CLK
FIGURE 4-2:
BYTE WRITE
BUS ACTIVITY
MASTER
S
T
A
R
T
Control
Byte
Word
Address
Data
S
T
O
P
SDA LINE
S
P
A
A
A
BUS ACTIVITY
C
K
C
K
C
K
V CLK
DS21095J-page 8
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XC3S250E-4VQG100I | IC FPGA SPARTAN-3E 250K 100-VQFP |
| 24LC21T-I/SN | IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8SOIC |
| 24LC21A/SN | IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8SOIC |
| 24LC21AT/SN | IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8SOIC |
| 24LC21AT-I/SN | IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 24LC22A-I/P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 24LC22A-I/PG | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 24LC22A-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 24LC22A-I/SNG | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 24LC22AT-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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