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参数资料
| 型号： | 25A512T-I/ST |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 10MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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25A512
2.3
Write Enable ( WREN ) and Write
Disable ( WRDI )
The following is a list of conditions under which the
write enable latch will be reset:
The 25A512 contains a write enable latch. See
Table 2-4 for the Write-Protect Functionality Matrix.
This latch must be set before any write operation will be
completed internally. The WREN instruction will set the
latch, and the WRDI will reset the latch.
?
?
?
?
?
?
?
Power-up/BOR
WRDI instruction successfully executed
WRSR instruction successfully executed
WRITE instruction successfully executed
PE instruction successfully executed
SE instruction successfully executed
CE instruction successfully executed
FIGURE 2-4:
WRITE ENABLE SEQUENCE ( WREN )
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
High-Impedance
SO
FIGURE 2-5:
WRITE DISABLE SEQUENCE ( WRDI )
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1 0
0
High-Impedance
SO
? 2010-2011 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22237C-page 11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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