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参数资料
| 型号： | 25A512T-I/ST |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 10MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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25A512
Read Sequence
The device is selected by pulling CS low. The 8-bit
READ instruction is transmitted to the 25A512 followed
by the 16-bit address. After the correct READ instruction
and address are sent, the data stored in the memory at
the selected address is shifted out on the SO pin. The
data stored in the memory at the next address can be
read sequentially by continuing to provide clock pulses.
The internal Address Pointer is automatically incre-
mented to the next higher address after each byte of
data is shifted out. When the highest address is
reached (FFFFh), the address counter rolls over to
address 0000h allowing the read cycle to be continued
indefinitely. The READ instruction is terminated by rais-
ing the CS pin (Figure 2-1).
FIGURE 2-1:
CS
READ SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 11
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
SI
0
0
0
0
0
0
1
1 15 14 13 12
2
1
0
High-Impedance
Data Out
SO
7
6
5
4
3
2
1
0
DS22237C-page 8
Preliminary
? 2010-2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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