参数资料
型号: 25AA010AT-I/MNY
厂商: Microchip Technology
文件页数: 8/38页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM SER 1K 1.8V 8TDFN
标准包装: 3,300
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 1K (128 x 8)
速度: 10MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-WFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-TDFN(2x3)
包装: 带卷 (TR)
25AA010A/25LC010A
FIGURE 2-2:
CS
BYTE WRITE SEQUENCE
SCK
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 11 12 13 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 2 0 2 1 22 2 3
Twc
Instruction
Address Byte
Data Byte
SI
0
0
0
0
0
0
1
0 X A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
X = don’t care
FIGURE 2-3:
CS
PAGE WRITE SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 2 0 2 1 2 2 2 3
SCK
Instruction
Address Byte
Data Byte 1
SI
0
0
0
0
0
0 1
0
X A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 7
6
5
4
3
2
1
0
CS
2 4 25 2 6 27 28 29 30 31 32 3 3 3 4 3 5 36 37 38 39
SCK
Data Byte 2
Data Byte 3
Data Byte n (16 max)
SI
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
X = don’t care
DS21832G-page 8
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
3-747579-6 CONN FERRULE STRAIGHT DB9/15/25
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25AA020A/WF16K 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2K, 256 X 8, 1.8V SER EE, WAFER on FRAME RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8