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参数资料
| 型号： | 25AA02E48-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 10MHZ 8SOIC |
| 产品培训模块： | MAC Address EEPROMs |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROM - 串行（带 MAC 地址） |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (256 x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1448 (CN2011-ZH PDF) |
25AA02E48
2.6
Write Status Register Instruction
TABLE 2-3:
ARRAY PROTECTION
( WRSR )
The Write Status Register instruction ( WRSR ) allows
the user to write to the nonvolatile bits in the STATUS
register as shown in Table 2-2. See Figure 2-7 for the
WRSR timing sequence. Four levels of protection for
the array are selectable by writing to the appropriate
bits in the STATUS register. The user has the ability to
write-protect none, one, two, or all four of the
segments of the array as shown in Table 2-3.
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
Array Addresses
Write-Protected
none
upper 1/4
(C0h-FFh)
upper 1/2
(80h-FFh)
all
(00h-FFh)
FIGURE 2-7:
CS
WRITE STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE ( WRSR )
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
Instruction
Data to STATUS register
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
? 2010 Microchip Technology Inc.
DS22123B-page 11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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