参数资料
| 型号： | 25LC040/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (512 x 8) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1448 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 25LC40/P |
25AA040/25LC040/25C040
3.4
Write Enable (WREN) and Write
Disable (WRDI)
The following is a list of conditions under which the
write enable latch will be reset:
The 25XX040 contains a write enable latch. See
Table 3-3 for the Write-Protect Functionality Matrix.
This latch must be set before any write operation will be
completed internally. The WREN instruction will set the
latch, and the WRDI will reset the latch.
FIGURE 3-4:
WRITE ENABLE SEQUENCE
CS
?
?
?
?
?
Power-up
WRDI instruction successfully executed
WRSR instruction successfully executed
WRITE instruction successfully executed
WP line is low
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
High-impedance
SO
FIGURE 3-5:
WRITE DISABLE SEQUENCE
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1 0
0
High-impedance
SO
? 2006 Microchip Technology Inc.
DS21204E-page 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMA49DTMI | CONN EDGECARD 98POS R/A .125 SLD |
| M24308/2-286 | CONN D-SUB RCPT HD 15P SER 90 |
| 25C040-I/P | IC EEPROM 4KBIT 3MHZ 8DIP |
| 25AA080A-I/SN | IC EEPROM 8KBIT 10MHZ 8SOIC |
| 25LC080A-I/SN | IC EEPROM 8KBIT 10MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 25LC040-SN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SPI Serial EEPROM |
| 25LC040ST | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| 25LC040T | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4K SPI Bus Serial EEPROM |
| 25LC040T/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 2.5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC040T-E/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4K SPI ⑩ Bus Serial EEPROM |
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