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参数资料
| 型号： | 25LC040A-E/ST |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8 |
| 文件页数： | 3/30页 |
| 文件大小： | 452K |
| 代理商： | 25LC040A-E/ST |
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2009 Microchip Technology Inc.
DS21827F-page 11
25AA040A/25LC040A
2.6
Write Status Register Instruction
(WRSR)
The Write Status Register instruction (WRSR) allows the
user to write to the nonvolatile bits in the STATUS regis-
ter as shown in Table 2-2. See Figure 2-7 for the WRSR
timing sequence. Four levels of protection for the array
are selectable by writing to the appropriate bits in the
STATUS register. The user has the ability to write-protect
none, one, two or all four of the segments of the array as
shown in Table 2-3.
TABLE 2-3:
ARRAY PROTECTION
FIGURE 2-7:
WRITE STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE (WRSR)
BP1
BP0
Array Addresses
Write-Protected
00
none
01
upper 1/4
(180h-1FFh)
10
upper 1/2
(100h-1FFh)
11
all
(000h-1FFh)
SO
SI
CS
9
1011
12131415
01
0
00
76
5
4
21
0
Instruction
Data to STATUS Register
High-impedance
SCK
0
2
34
56
7
1
8
3
Note:
An internal write cycle (TWC) is initiated on the rising edge of CS after a valid write STATUS register
sequence.
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