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参数资料
| 型号： | 25LC040AT-E/MNY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SER 4K 512X8 8TDFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (512 x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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25AA040A/25LC040A
2.6
Write Status Register Instruction
TABLE 2-3:
ARRAY PROTECTION
( WRSR )
The Write Status Register instruction ( WRSR ) allows the
user to write to the nonvolatile bits in the STATUS regis-
ter as shown in Table 2-2. See Figure 2-7 for the WRSR
timing sequence. Four levels of protection for the array
are selectable by writing to the appropriate bits in the
STATUS register. The user has the ability to write-protect
none, one, two or all four of the segments of the array as
shown in Table 2-3.
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
Array Addresses
Write-Protected
none
upper 1/4
(180h-1FFh)
upper 1/2
(100h-1FFh)
all
(000h-1FFh)
FIGURE 2-7:
CS
WRITE STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE ( WRSR )
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
Instruction
Data to STATUS Register
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
Note:
An internal write cycle (T WC ) is initiated on the rising edge of CS after a valid write STATUS register
sequence.
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21827G-page 11
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PDF描述 |
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