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参数资料
| 型号： | 25LC040AT-E/MNY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SER 4K 512X8 8TDFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (512 x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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25AA040A/25LC040A
2.4
Write Enable ( WREN ) and Write
Disable ( WRDI )
The following is a list of conditions under which the
write enable latch will be reset:
The 25XX040A contains a write enable latch. See
Table 2-4 for the Write-Protect Functionality Matrix.
This latch must be set before any write operation will be
completed internally. The WREN instruction will set the
latch, and the WRDI will reset the latch.
?
?
?
?
?
Power-up
WRDI instruction successfully executed
WRSR instruction successfully executed
WRITE instruction successfully executed
WP pin is brought low
FIGURE 2-4:
WRITE ENABLE SEQUENCE ( WREN )
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
SO
High-Impedance
FIGURE 2-5:
WRITE DISABLE SEQUENCE ( WRDI )
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1 0
0
High-Impedance
SO
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21827G-page 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XC3S1400A-4FG484I | IC SPARTAN-3A FPGA 1400K 484FBGA |
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| 25AA160CT-I/SN | IC SRL EEPROM 2KX8 1.8V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 25LC040AT-I/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC040AT-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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