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参数资料
| 型号： | 25LC080D-I/P |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRL EEPROM 1KX8 2.5V 8-PDIP |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 5MHz，10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1448 (CN2011-ZH PDF) |
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25XX080C/D
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS (CONTINUED)
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I): T A = -40°C to +85°C
Automotive (E): T A = -40°C to +125°C
V CC = 1.8V to 5.5V
V CC = 2.5V to 5.5V
Param.
No.
17
Sym.
T HH
Characteristic
HOLD Hold Time
Min.
20
40
Max.
—
—
Units
ns
ns
Test Conditions
4.5V ≤ V CC ≤ 5.5V
2.5V ≤ V CC < 4.5V
80
—
ns
1.8V ≤ V CC < 2.5V
18
T HZ
HOLD Low to Output
High-Z
30
60
—
—
ns
ns
4.5V ≤ V CC ≤ 5.5V (Note 1)
2.5V ≤ V CC < 4.5V (Note 1)
160
—
ns
1.8V ≤ V CC < 2.5V (Note 1)
19
20
21
T HV
T WC
—
HOLD High to Output
Valid
Internal Write Cycle Time
Endurance
30
60
160
—
1M
—
—
—
5
—
ns
ns
ns
ms
E/W
4.5V ≤ V CC ≤ 5.5V
2.5V ≤ V CC < 4.5V
1.8V ≤ V CC < 2.5V
(Note 2)
(Note 3)
Cycles
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
2: T WC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle
is complete.
3: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific
application, please consult the Total Endurance? Model which can be obtained from our web site:
www.microchip.com.
TABLE 1-3:
AC Waveform:
AC TEST CONDITIONS
V LO = 0.2V
V HI = V CC - 0.2V
V HI = 4.0V
C L = 50 pF
—
(Note 1)
(Note 2)
—
Timing Measurement Reference Level
Input
Output
Note 1: For V CC ≤ 4.0V
2: For V CC > 4.0V
DS22151A-page 4
0.5 V CC
0.5 V CC
? 2009 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 25LC040/P | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8DIP |
| RMA49DTMI | CONN EDGECARD 98POS R/A .125 SLD |
| M24308/2-286 | CONN D-SUB RCPT HD 15P SER 90 |
| 25C040-I/P | IC EEPROM 4KBIT 3MHZ 8DIP |
| 25AA080A-I/SN | IC EEPROM 8KBIT 10MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 25LC080DT-E/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC080DT-E/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC080DT-E/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8K SPI Bus Serial EEPROM |
| 25LC080DT-E/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC080DT-E/ST | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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