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参数资料
| 型号： | 25N90 |
| 厂商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HiPerFET Power MOSFETs |
| 中文描述： | HiPerFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 25N90 |
1 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
V
DGR
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GS
= 1 M
900
900
V
V
V
GS
V
GSM
Continuous
Transient
20
30
V
V
I
D25
T
C
= 25 C
26N90
25N90
26N90
25N90
26N90
25N90
26
25
A
I
DM
T
C
= 25 C, pulse width limited by T
JM
104
100
26
25
A
I
AR
T
C
= 25 C
A
E
AR
E
AS
T
C
= 25 C
T
C
= 25 C
64
3
mJ
J
dv/dt
I
S
T
J
I
, di/dt 100 A/ s, V
DD
V
DSS
150 C, R
G
= 2
5
V/ns
P
D
T
C
= 25 C
560
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
T
L
M
d
Weight
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
C
Mounting torque
TO-264
0.4/6
Nm/lb.in.
PLUS 247
TO-264
6
10 g
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
900
typ.
max.
V
DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 3mA
V
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8mA
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
3.0
5.0
200
100
V
nA
A
mA
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
26N90
25N90
2
R
DS(on)
0.3
0.33
Single MOSFET Die
Features
International standard packages
Low R
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and ighting controls
Advantages
PLUS 247
TM
package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
HiPerFET
TM
Power MOSFETs
98553D (9/99)
PLUS 247
TM
(IXFX)
G
D
(TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
S
G
D
(TAB)
TO-264 AA (IXFK)
V
DSS
900 V 26 A 0.30
900 V 25 A 0.33
I
DSS
R
DS(on)
t
rr
250 ns
250 ns
IXFK/IXFX 26N90
IXFK/IXFX 25N90
Preliminary data sheet
S
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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PDF描述 |
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| 25NA220MEFC10X12.5 | 功能描述:CAP ALUM 220UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 类别:电容器 >> 铝 系列:* 标准包装:2,000 系列:142 RHS 电容:4700µF 额定电压:10V 容差:±20% 寿命@温度:105°C 时为 2000 小时 工作温度:-40°C ~ 105°C 特点:通用 纹波电流:1.26A ESR（等效串联电阻）:- 阻抗:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直径（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引线间隔:0.197"（5.00mm） 表面贴装占地面积:- 包装:散装 |
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| 25NA330MEFC10X16 | 功能描述:CAP ALUM 330UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 类别:电容器 >> 铝 系列:* 标准包装:2,000 系列:142 RHS 电容:4700µF 额定电压:10V 容差:±20% 寿命@温度:105°C 时为 2000 小时 工作温度:-40°C ~ 105°C 特点:通用 纹波电流:1.26A ESR（等效串联电阻）:- 阻抗:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直径（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引线间隔:0.197"（5.00mm） 表面贴装占地面积:- 包装:散装 |
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