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参数资料
| 型号： | 25N90 |
| 厂商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HiPerFET Power MOSFETs |
| 中文描述： | HiPerFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 25N90 |
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFK 25N90 IXFX 25N90
IXFK 26N90 IXFX 26N90
V
SD
- Volts
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Case Temperature -
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0
5
10
15
20
25
30
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.001
0.010
0.100
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
300
350
V
G
0
3
6
9
12
15
Crss
Coss
Ciss
VDS = 500 V
ID = 13 A
IG = 10 mA
f = 1MHz
IXF_26N90
TJ = 125oC
TJ = 25oC
0.300
IXF_25N90
20000
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic
Diode
Figure10. Drain Current vs. Case
Temperature
Figure 11. Transient Thermal Resistance
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PDF描述 |
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| 25NA330MEFC10X16 | 功能描述:CAP ALUM 330UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 类别:电容器 >> 铝 系列:* 标准包装:2,000 系列:142 RHS 电容:4700µF 额定电压:10V 容差:±20% 寿命@温度:105°C 时为 2000 小时 工作温度:-40°C ~ 105°C 特点:通用 纹波电流:1.26A ESR（等效串联电阻）:- 阻抗:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直径（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引线间隔:0.197"（5.00mm） 表面贴装占地面积:- 包装:散装 |
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