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参数资料
| 型号： | 2MBI150N-060 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | M233, 7 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2MBI150N-060 |
0,001
0,01
0,1
1
0,01
0,1
1
IGBT
Diode
Transient thermal resistance
Thermal
resistance
:
R
th(j-c)
[°C/W]
Pulse width : PW [sec]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
100
200
300
400
500
400V
300V
V
CC=200V
0
5
10
15
20
25
Dynamic input characteristics
T
j=25°C
Collector-Emitter
voltage
:
V
CE
[V]
Gate charge : Q
G [nC]
10
100
1000
50
t
f
t
r
t
off
t
on
Switching time vs. R
G
V
CC=300V, IC=150A, V GE=±15V, Tj=25°C
Switching
time
:
t
on
,
t
r,
t
off
,
t
f[nsec]
Gate resistance : R
G [ ]
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
250
300
350
T
j=125°C
25°C
Forward current vs. Forward voltage
V
GE=OV
Forward
current
:
I
F
[A]
Forward voltage : V
F [V]
0
50
100
150
200
250
10
100
I
rr 25°C
t
rr 25°C
t
rr 125°C
I
rr 125°C
Reverse recovery characteristics
t
rr , Irr vs. I F
Reverse
recovery
current
:
I
rr
[A]
Reverse
recovery
time
:
trr
[nsec]
Forward current : I
F [A]
0
100
200
300
400
500
600
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
RBSOA (Repetitive pulse)
SCSOA
(non-repetitive pulse)
Reversed biased safe operating area
+V
GE=15V, -V GE< 15V, T j< 125°C, RG> 16
Collector
current
:
I
C
[A]
Collector-Emitter voltage : V
CE [V]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2MBI150NC-120 | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI200F-060 | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI200PB-140 | 300 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI200S-120 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI225VJ-120-50 | 225 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2MBI150N-060 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE 600V 150A |
| 2MBI150N-120 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE ( N series ) |
| 2MBI150NB-120 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| 2MBI150NC-060 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE ( N series ) |
| 2MBI150NC-120 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE ( N series ) |
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