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参数资料
| 型号： | 2MBI450U4J-120-50 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MODULE-22 |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 639K |
| 代理商： | 2MBI450U4J-120-50 |
H04-004-03a
11
15
MS5F6858
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25oC / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=25oC / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=125oC / chip
Dynamic Gate charge (typ.)
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f=1MHz, Tj=25
oC
Vcc=600V, Ic=450A, Tj=25oC
0
200
400
600
800
1000
1200
0
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2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t:
Ic
[A
]
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
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1000
1200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
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le
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en
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Ic
[A
]
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t:
Ic
[A
]
Tj=125oC
Tj=25oC
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
Gate-Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=225A
Ic=450A
Ic=900A
C
ol
le
ct
or
-E
m
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C
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[V
]
0.1
1.0
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0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
Cies
C
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C
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C
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F
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Gate charge : Qg [ nC ]
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V
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]
VGE
VCE
0
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