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参数资料
| 型号： | 2N1131 |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2N1131 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N1136B | 6 A, 80 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N1150 | 25 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N1151 | 25 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-22 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N1131 JAN | 制造商:MISCELLANEOUS MANUFACTURERS 功能描述:SEMICONDUCTOR TRANSISTOR |
| 2N1131A | 制造商:RAYTHEON 制造商全称:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
| 2N1131B | 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 |
| 2N1131J | 制造商:RAYTHEON 制造商全称:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
| 2N1131L | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 0.6A 3PIN TO-5 - Bulk |
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