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参数资料
| 型号： | 2N2892 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-111, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | 2N2892 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5326 | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3744 | 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3867SMD05-JQR-B | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA |
| 2N3867SMD05-JQRR4 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA |
| 2N3867SMD05-JQR-BR4 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N2893 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-111 - Bulk |
| 2N2894 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Fast Sw SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2894_03 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| 2N2894_12 | 制造商:COMSET 制造商全称:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH-SPEED SATURATED SWITCHES |
| 2N2894-1 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:2N2894-1 |
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