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参数资料
| 型号： | 2N3205 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2N3205 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3206 | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 2N6422 | 2 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5605 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6420 | 1 A, 175 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5740 | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3206 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN TO-59 - Bulk |
| 2N3207 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 2A 3PIN TO-59 - Bulk |
| 2N3208 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 2A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3209 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Hi-Spd Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3209CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:HIGH SPEED, PNP, SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
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