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参数资料
| 型号： | 2N3416D75Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | 2N3416D75Z |
2N3416
/
2N3417
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
IC = 10 mA, IB = 0
50
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, IE = 0
50
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, IC = 0
5.0
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 25 V, IE = 0
VCB = 18 V, IE = 0, TA = 100
°C
100
15
nA
A
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 5.0 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 4.5 V, IC = 2.0 mA
2N3416
2N3417
75
180
225
540
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 50 mA, IB = 3.0 mA
0.3
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 50 mA, IB = 3.0 mA
0.6
1.3
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 2.0 mA, VCE = 4.5 V,
f = 1.0 kHz
2N3416
2N3417
75
180
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述 |
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| 2N3417 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
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