参数资料
型号: 2N3492
厂商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 7.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TO-61, 3 PIN
文件页数: 1/1页
文件大小: 70K
代理商: 2N3492
相关PDF资料
PDF描述
2N6582 10 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6128 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N5289 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6510 7 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N3265 25 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2N3494 制造商:RAYTHEON 制造商全称:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches
2N3495 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
2N3496 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N3496 - Bulk
2N3497 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3498 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR TO-39 LAW - Bulk