型号: | 2N3767SMD-JQR-BR4 |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB |
封装: | CERAMIC, SMD1, 3 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 20K |
代理商: | 2N3767SMD-JQR-BR4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N3767SMD05-JQR-AR4 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA |
2N3767SMD05-JQR-B | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA |
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2N3767 | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
2N3772 | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N376A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
2N377 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
2N3771 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3771 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 |
2N3771/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:High Power NPN Silicon Power Transistors |