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参数资料
型号： 2N3905RL1
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件页数： 12/36页
文件大小： 371K
代理商： 2N3905RL1
2N3905 2N3906
2–10
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
2N3905
2N3906
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
2N3905
2N3906
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
2N3905
2N3906
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
2N3905
2N3906
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
2N3905
2N3906
hFE
30
60
40
80
50
100
30
60
15
30
—
150
300
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc
VCE(sat)
—
0.25
0.4
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VBE(sat)
0.65
—
0.85
0.95
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)
2N3905
2N3906
fT
200
250
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
4.5
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
10.0
pF
Input Impedance
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N3905
2N3906
hie
0.5
2.0
8.0
12
k
Voltage Feedback Ratio
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N3905
2N3906
hre
0.1
5.0
10
X 10–4
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N3905
2N3906
hfe
50
100
200
400
—
Output Admittance
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N3905
2N3906
hoe
1.0
3.0
40
60
mmhos
Noise Figure
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k , f = 1.0 kHz)
2N3905
2N3906
NF
—
5.0
4.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time
(VCC = 3.0 Vdc, VBE = 0.5 Vdc,
td
—
35
ns
Rise Time
( CC
BE
IC = 10 mAdc, IB1 = 1.0 mAdc)
tr
—
35
ns
Storage Time
2N3905
2N3906
(VCC = 3 0 Vdc IC = 10 mAdc
ts
—
200
225
ns
Fall Time
(VCC = 3.0 Vdc, IC = 10 mAdc,
IB1 = IB2 = 1.0 mAd
2N3905
2N3906
tf
—
60
75
ns
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
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PDF描述
2N3905RLRA 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3905RLRM 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3905RLRM 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3906RLRM 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3906-5 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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参数描述
2N3905TA 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3905TAR 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3905TF 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3905TFR 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3906 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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