- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30425 > 2N3905RL1 (ON SEMICONDUCTOR) 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N3905RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/36页 |
| 文件大小： | 371K |
| 代理商： | 2N3905RL1 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
Surface Mount Information
7–12
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Footprints for Soldering
0.094
2.4
SC–59
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.039
1.0
0.031
0.8
SOT–23
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
SO–14, SO–16
mm
inches
0.060
1.52
0.275
7.0
0.024
0.6
0.050
1.270
0.155
4.0
SOT–223
0.079
2.0
0.15
3.8
0.248
6.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.091
2.3
mm
inches
mm
inches
0.035
0.9
0.075
0.7
1.9
0.028
0.65
0.025
0.65
0.025
SC–70/SOT–323
1.4
1
0.5 min. (3x)
0.5
min.
(3x)
0.5
SOT 416/SC–90
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3905RLRA | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3905RLRM | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3905RLRM | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3906RLRM | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3906-5 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3905TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TFR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。