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参数资料
| 型号： | 2N3958 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Monolithic Dual N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V，最大栅极工作电流-50pA的双N沟道结型场效应管) |
| 中文描述： | 单片双N沟道场效应（最小栅源击穿电压- 50V的最大栅极工作电流，50pA的的双?沟道结型场效应管） |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 2N3958 |
2N3958
Siliconix
P-37995—Rev. A, 11-Aug-94
3
Typical Characteristics
5
0
–5
–4
–3
–2
–1
4
2
1
0
0
30
20
10
40
50
3
2.6
2.2
1
3
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
Gate Leakage Current
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DG
– Drain-Gate Voltage (V)
–
I
D
g
f
–
I
G
0.1 pA
10 pA
1 pA
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
g
fs
I
DSS
I
GSS
@ 125 C
I
GSS
@ 25 C
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
200 A
100 pA
1 nA
10 nA
100 nA
5
0
12
16
8
4
20
4
3
2
1
0
Output Characteristics
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
–
I
D
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.3 V
–0.8 V
–1.0 V
–1.2 V
–1.4 V
V
GS(off)
= –2 V
V
GS
= 0 V
5
4
3
2
1
0
V
GS
= 0 V
V
GS(off)
= –3 V
2
0
0.6
0.8
0.4
0.2
1
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Output Characteristics
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
–
I
D
V
GS(off)
= –2 V
V
GS
= 0 V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.6
0.8
0.4
0.2
1
V
GS
= 0 V
V
GS(off)
= –3 V
–0.3 V
–0.9 V
–0.6 V
–2.1 V
–1.5 V
–1.2 V
–2.4 V
–1.8 V
1.8
1.4
I
G
@ I
D
= 200 A
50 A
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
–1.2 V
–1.4 V
–1.6 V
0
12
16
8
4
20
50 A
–0.9 V
–0.6 V
–2.1 V
–1.5 V
–1.2 V
–1.8 V
–2.4 V
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参数描述 |
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| 2N3958_TO-78 | 制造商:MICROSS 制造商全称:MICROSS 功能描述:a Low Noise, Low Drift, Monolithic Dual N-Channel JFET |
| 2N3958-E3 | 功能描述:JFET Dual 50V 0.05 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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