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参数资料
| 型号： | 2N4123-BP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | 2N4123-BP |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IE= 0)
2N4123
2N4124
V(BR)CEO
30
2
5
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IE = 0)
2N4123
2N4124
V(BR)CBO
40
30
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 20 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC =2.0 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
50
120
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 50mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.
3
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VBE(sat)
—
0.
95
Vdc
2N4123
2N4124
2N4123
60
25
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
!2N4123
2N4124
%
$
&&
'% ' !
('
&)
**+&
%' ' !
#'
&)
2N4123
2N4124
M C C
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
2 of 6
*+3+4*+5 $+611*'7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4124-BP | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4123RL | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4124RL1 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4124RLRA | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4123 | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2N4123RLRM | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4123TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4123TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4123TAR_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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