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参数资料
型号： 2N4123-BP
厂商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数： 3/6页
文件大小： 315K
代理商： 2N4123-BP
f, FREQUENCY (kHz)
4
6
8
10
12
2
0.1
RS, SOURCE RESISTANCE (k)
0
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
1
2
4
10
20
40
0.2
0.4
0
100
4
6
8
10
12
2
14
0.1
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
100
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
f = 1 kHz
IC = 1 mA
IC = 0.5 mA
IC = 50 mA
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 1 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
W
IC = 0.5 mA
SOURCE RESISTANCE = 500
W
IC = 100 mA
SOURCE RESISTANCE = 1 k
IC = 50 mA
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(
mhos)
30
100
50
5
10
20
oe
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.5
2
1
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.5
m
h
fe
,CURRENT
GAIN
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
1.0
TIME
(ns)
100
50
30
20
70
10.0
5.0
7.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
Cibo
Cobo
ts
td
tr
tf
VCC = 3 V
IC/IB = 10
VEB(off) = 0.5 V
Figure 1. Capacitance
Figure 2. Switching Times
Figure 3. Frequency Variations
Figure 4. Source Resistance
Figure 5. Current Gain
Figure 6. Qutput Admittance
2N4123
2N4124
M C C
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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PDF描述
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2N4123TAR 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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