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参数资料
| 型号： | 2N4124/E7 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 封装： | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | 2N4124/E7 |
2N4124
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88115
2
07-May-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DC Current Gain
hFE
VCE = 1 V, IC = 2.0 mA
120
—
360
—
VCE = 1 V, IC = 50 mA
—
60
—
Collector-Base Cutoff Current
ICBO
VCB = 20 V
——
50
nA
Emitter-Base Cutoff Current
IEBO
VEB = 3 V
——
50
nA
Collector Saturation Voltage
VCEsat
IC = 50 mA, IB = 5 mA
——
0.3
V
Base Saturation Voltage
VBEsat
IC = 50 mA, IB = 5 mA
——
0.95
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC = 1 mA
25
——
V
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC = 10
A
30
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE = 10
A
5
——
V
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE = 5 V, IC = 10 mA
—
200
—
MHz
f = 50 MHz
Collector-Base Capacitance
CCBO
VCB = 10 V, f = 1MHz
—
12
—
pF
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
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